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2018年11月15日 17:16 次阅读

存储器在连续两年走高之际,开始掉头释放出下探信号。虽然强周期波动的存储器价格起伏是正常,但对于仍在计划量产的国内三大厂商而言,若产能都如期释放,而届时市场供过于求之势不减,那么价格战将一触即发。国内厂商如何耐得住亏损,不断加强后续的资金投入?

对于无处不在的存储器产业,任何“风吹草动”都会引发敏感猜想。而存储器在连续两年走高之际,开始掉头释放出下探信号,有分析宣称DRAM需求逐渐趋缓,库存、定价压力与日俱增,而NAND闪存供过于求,价格将进一步走低,主导厂商三星、SK海力士亦推迟扩产来抑制价格下跌之势。作为存储器市场的两大主力,DRAM、NAND为何同时来到下降基点?这对于国内如火如荼大举压境的厂商而言究竟是福是祸?

对于无处不在的存储器产业 任何动静都会引发国内厂商猜想

持续两年上涨之后首次下探

作为名副其实的电子行业“原材料”,存储器行业有着强周期特点,在经历了几十年的起伏之后,已基本形成了寡头垄断格局。在过去两年,这些寡头尝到了不少的甜头。

Gartner显示,2017年存储市场营收增加将近500亿美元,市场规模达1300亿美元,较2016年大增61.8%。与之相对应的是价格上涨之势惊人,DRAMeXchange指出,2017年DRAM价格上涨超过四成,同期NAND的价格涨幅也近四成。NAND的主要市场为PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)。

由此,存储器王者三星得偿夙愿,凭借存储价格的高涨,取代霸占半导体营收排名榜首20多年的英特尔,成为新的半导体霸主。要知道,2017年光是三星的存储营收就增加近200亿美元。

今年第一和第二季度,DRAM依然持上涨之势,三星、SK海力士和美光等厂商也都先后宣布了扩产计划。但最近局面似乎有所转变:相关分析师指出,存储器价格走低,一方面是PC、移动设备和数据中心这三大应用产品的需求动能在过去几周明显趋缓,这恐怕会让第三季度报价一路走低。另一方面,由于需求降温的关系,三星电子、SK 海力士的库存也在增加。

表现在DRAM层面,RBC分析师Amit Daryanani认为由于三星、SK海力士增产的影响,预估2018年、2019年的DRAM供给量将分别上扬20%、20-25%。这将为市场带来压力,而需求也将相对收缩,外资相继调降美光目标价,并预计美光2019会计年度的毛利率,将因NAND、DRAM均价受挫而萎缩约200个基点。

NAND遭遇了同样困境。Baird分析师Tristan Gerra指出,下半年智能手机市场出货表现将相对疲弱,NAND闪存的供给过剩情况将日益恶化。因而有分析师说2019年上半年NAND价格将重挫11~13%,而且这位分析师认为目前的存储定价周期与2014年末到2015年初情况相似,当时也出现存储器需求大跌的状况。

这也引发产业链相关企业股市应声下跌,不止是美光,相应的设备股、封测股也均受到波及,显示市场对一波行情的一致看衰。

以延后扩产应对

虽然有关厂商以及相关协会仍强调存储器的需求会持续强劲,但此时的价格松动究竟是市场一时“兴起”,还是整体下滑开始的一个发端?从全球来看,存储器行业总体呈向上趋势却始终处于周期性波动中,甚至出现远高于半导体产业平均值的巨幅波动,宏观经济、应用走势、供给策略等都在影响存储器的波形。

对于这一走向,知名半导体专家莫大康分析说,存储器价格起伏是正常,不可能持续像2017年那样疯涨,所以价格下降是正常。

与之相呼应的是,头部厂商不约而同的对策。DRAM经过几十年的周期循环后,玩家从80年代的40~50家,已巨变成为三星、SK海力士和美光三强。而在NAND闪存阵列中,也已是三星、东芝/闪迪、西部数据、美光和SK海力士的天下。

据悉,三星与SK海力士已在延后扩产。在上月中,三星宣布,将原订本季完成每月增产3万片DRAM计划延至今年底。这一举措有需求放缓要为DRAM价格形成支撑的因素,但或亦有技术难度提升需要时间解决良率问题的原因。

同时,消息人士称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划,新产能难以在2019年上半年上线。

由于三星和SK海力士对全球的存储市场拥有很高的市场份额,他们的这些决定释放出很强的信号。这对正在紧锣密鼓量产的国内厂商而言,究竟有何波及效应?

国内厂商加紧备战

由于国内在存储器领域基本没有话语权,因而存储器的大幅度涨价让中国着实 “很受伤”。记者查阅资料发现,2016年7月,一个DDR4-2133 DRAM芯片的平均合同价格为1.31美元;而到现在,行情已上涨至7.56美元,这样的“飞跃”实在难以承受。

因而,一方面,在国家政策和资金扶持下的中国存储企业正在快马加鞭加快量产;另一方面,则在加强进行反垄断调查。由于三星、SK海力士与美光在DRAM市场囊括约96%的市场占有率,继去年年底三星遭发改委约谈之后,中国反垄断机构前几个月前又约谈了美光。未来反垄断调查的事件可能将持续发生,并或从侧面抑制存储器涨幅。

今年对于中国存储产业而言是关键节点,在NAND闪存为主的长江存储、专注于手机内存的合肥长鑫以及利基型内存的福建晋华三大阵营中,量产正开足马力加快进行。

从进度来看,长江存储将在2018年底量产32层64G的NAND 闪存,2019年量产64层128G,并同步研发128层256G。在DRAM方面,合肥长鑫计划于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品,2019年第三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片/月。而福建晋华正使用12英寸晶圆制造DRAM,最快9月试产。

如果这些产能都如期释放,而届时市场供过于求之势不减,那么价格战将一触即发,这意味着对存储器行业的高额投入在短期内并不能带来可观回报,国内厂商能否耐得住亏损,不断加强后续的资金投入?毕竟这种挑战当是常态。更何况,诚如莫大康所言,实现量产只是第一步,关键要看年销售额是否能接近10亿美元,产能达4万片/月。这才能表明生产线能立足,而何时能实现亦是一大问题。

短时间内,中国存储企业并不会对三星、美光等构成威胁,但随着中国存储产业的快速推进,这些厂商将举起价格战、专利诉讼战甚至反周期战的大棒不断夹击,在这一拉锯战中,国内三大厂商要冲锋“技术自主研发”与“稳定量产规模”两大“高地”仍需时间的磨练,真正逆袭依然面临诸多挑战。但目前存储器已到了历史转移的节点上,把握这一机遇,由逆向设计到创新,由低端到高端,已是国内存储器业的必然之路,唯有义无反顾。

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SN74ABT16240A 具有三态输出的 16...

'ABT16240A器件是16位缓冲器和线路驱动器,专门用于改善三态存储器地址驱动器,时钟驱动器的性能和密度,和面向总线的接收器和发射器。 这些器件可用作4个4位缓冲区,2个8位缓冲区或1个16位缓冲区。这些器件提供反相输出和对称低电平有效输出使能(OE \)输入。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16240A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16240A的工作温度范围为-40°C至85°C。 特性 Widebus和EPIC-IIB是德州仪器公司的商标。 德州仪器WidebusTM家庭成员 最先进的EPIC -IIBTMBiCMOS设计显着降低功耗 典型VOLP(输出接地反弹)< 1 V,VCC= 5 V,TA= 25°C 分布式VCC和GND引脚配置最大限度地降低高速开关噪声 流通式架构优化PCB布局 高驱动输出(-32-mA IOH,64-mA IOL) ...

发表于 2018-10-15 15:43 8次阅读
SN74ABT16240A 具有三态输出的 16...

TMP107-Q1 具有菊花链 UART、EEP...

TMP107-Q1数字输出温度传感器支持以菊花链方式总计连接32台设备。每个传感器具有唯一的5位地址,存储于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)中.TMP107-Q1能够以0.015625°C的分辨率读取温度,在-20°C至+ 70°C温度范围内的精度达±0.4°C。在具有高精度要求的应用中,TMP107-Q1是负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品。 存储于EEPROM中的5位唯一地址在自动地址分配操作期间确定,并且基于每个传感器相对于SMAART线主机的位置。该器件有多种工作模式可供选择,最大程度提高了自身灵活性,不仅可针对电池操作降低功耗,还能够为实时控制应用提供高更新率。 TMP107-Q1是各类工业,仪器仪表,通信和环境应用中扩展温度测量的理想选择.TMP107-Q1采用8引脚小外形尺寸集成电路( SOIC)封装,额定工作温度范围为-55°C至+ 125°C。 特性 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 温度1级:-40°C至+ 125°C的环境工作温度范围 器件人体放电模式...

发表于 2018-09-13 14:31 13次阅读
TMP107-Q1 具有菊花链 UART、EEP...

SN54LS298 具有存储器的四路 2 输入多...

这些带存储的单片四路双输入多路复用器提供两个独立MSI功能的等效功能(SN54157 /SN74157或SN54LS157 /SN74LS157和SN54175 /SN74175)或单个16引脚封装的SN54LS175 /SN74LS175)。 当字选输入为低电平时,字1(A1,B1,C1,D1)适用于触发器。字输入的高输入将导致选择字2(A2,B2,C2,D2)。所选字在时钟脉冲的下降沿输出到输出端。 对于'LS298',298和65毫瓦的典型功耗为195毫瓦。 SN54298和SN54LS298的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作; SN74298和SN74LS298的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 特性 选择两个4位数据源中的一个并与系统时钟同步存储数据 应用程序: < li>算术处理器中操作数和常量的双源;可以释放处理器寄存器文件以获取新数据 实现能够并行交换内容但保留外部负载能力的单独寄存器 用于实现各种移位模式的通用类型寄存器;甚至具有复合左右能力 参数 与其它产品相比 解码器/编码器/多路复用器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (M...

发表于 2018-08-30 10:59 3次阅读
SN54LS298 具有存储器的四路 2 输入多...

SN74BCT2414 具有片上电源监控器的双路...

The SN74BCT2414 is a decoder specially designed to be used in memory systems with battery backup during power failure. The two independent 2-line to 4-line decoders with separate and common control inputs may be externally cascaded to implement a 3-line to 8-line decoder. The circuit has two supply voltage inputs: the voltage monitor (bandgap) is powered via the VCC terminal; the internal logic of the circuit is powered via the Vbat terminal. In case VCC drops below 3.65 V (nominal), the voltage monitor forces the voltage-control (VS) and decoder outputs (Y) to the high level. VS may be used to disconnect the supply voltage of the memories (Vbat) from the system supply. This output is switched off when the on-chip supply voltage monitor detects a power failure. The SN74BCT2414 is characterized for operation from 0°C to 70°C. 特性 BiCMOS设计大幅降低待机电流 两个独立的2线到4线解码器或一个3线到8线解码器 用于简易级联的独立使能输入 两个电...

发表于 2018-08-28 11:28 10次阅读
SN74BCT2414 具有片上电源监控器的双路...

SN74LS399 具有存储器的四路 2 输入多...

这款带有存储器的单片四路双输入多路复用器提供了两个独立的MSI功能(SN54LS157 /SN74LS157和SN54LS175 /SN74LS175)的等效功能16引脚封装。 当字选输入为低电平时,字1(A1,B1,C1,D1)应用于触发器。字输入的高输入将导致选择字2(A2,B2,C2,D2)。所选字在时钟脉冲的正向边沿输出到输出端。 典型功耗为37毫瓦。 SN54LS399的特点是可在-55°C至125°C的整个军事范围内工作。 SN74LS399的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 特性 'LS399 上的单轨输出选择两个4位数据源中的一个并与系统同步存储数据时钟 应用程序: 算术处理器中操作数和常量的双源;可以释放处理器寄存器文件以获取新数据 实现能够并行交换内容但保留外部负载能力的单独寄存器 用于实现各种移位模式的通用类型寄存器:甚至还有复合左 - 权利能力 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (M...

发表于 2018-08-23 16:16 6次阅读
SN74LS399 具有存储器的四路 2 输入多...