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电子设计 2018-10-12 09:08 次阅读

1.引言

近年来全球范围内出现了新一轮的太空探索热潮,世界各主要航天大国相继出台了一系列雄心勃勃的航天发展规划。空间技术的迅猛发展,使各种电子设备已经广泛应用于人造卫星、宇宙飞船等设备中,在天然空间辐射环境中往往因经受空间辐射而导致性能降低或失灵,甚至最终导致卫星或空间飞行器灾难性后果。因此,必须在辐照恶劣环境中的电子设备使用抗辐射的电子元器件。

绝缘体上硅与体硅器件相比较,其独特的绝缘层把器件和衬底隔开,减轻了衬底对器件的影响,降低了源漏极电容、消除了闩锁效应、改善了短沟道效应以及热载流子效应、提高了抗辐照性能等等,因此,SOI技术能够成功地应用于抗辐射领域,其被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”.SOI与体硅MOS器件结构的比较如图1所示。

通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

通常根据在绝缘体上的硅膜厚度将SOI分成薄膜全耗尽FD(Fully Depleted)结构和厚膜部分耗尽PD(Partially Depleted)结构。本论文中设计的SOI MOS器件是薄膜全耗尽结构的,这是因为薄膜SOI结构的器件由于硅膜的全部耗尽完全消除“翘曲效应”,且这类器件具有低电场、高跨导、良好的短沟道特性和接近理想的亚阈值斜率等优点。因此薄膜全耗尽FDSOI应该是非常有前景的SOI结构。

因此,对SOI MOS器件进行研究具有十分重要的意义。本论文将设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOS器件并对该器件进行电学特性仿真,通过仿真获取阈值电压和饱和电流这两个重要参数。

2.设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET

整个设计流程为:首先,使用SentaurusStructure Editor工具编辑器件的基本结构和设定注入粒子的类型和剂量;然后,在使用Sentaurus Structure Editor工具中的网格生成工具Mesh设置器件的网格参数;最后使用Sentaurus Device工具仿真器件的电学特性并测试。在这一部分,我将通过上述流程来设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件。

对于器件结构的设计,器件结构的X和Y轴范围分别为[-0.3,0.3]和[-0.3,0.3],Z轴的范围为下面过程中设置的厚度的总和。

首先,画一层0.2μm厚度的硅衬底,硅衬底上画一层0.15μm厚度的绝缘氧化层,再在绝缘氧化层上画一层0.1μm厚的硅层(即顶硅层);然后,在顶硅上放置一层0.005μm厚度的氧化层,氧化层上放置一层宽度为0.18μm,厚度为0.04μm的多晶硅栅层;最后,在栅的周围放置侧墙并定义接触点。

经过上述过程,器件的基本结构已经完成。下面,往顶硅中注入剂量为1E+11cm-3的硼粒子来形成P-Well.在对源漏极进行注入粒子之前,需要先定义粒子注入的窗口,然后,设置注入粒子类型、峰值剂量、峰值位置和扩散长度。源漏极注入粒子参数如表1所示。

通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

器件的结构和掺杂粒子的一些参数已经设置好,现在需要做的工作就是设置网格,这里设置了三个部分的网格,全局网格、顶硅层部分的网格和沟道处的网格。设置沟道处网格是因为仿真器件的电学特性时,粒子的传输主要是在沟道处,在沟道处设置合理的网格不仅会提高仿真精度,也能优化仿真速度。

设置完网格后,就可以通过生成网格把器件结构,掺杂信息,网格信息集成到一个网格文件中,进行器件电学特性仿真时需要用到这个文件。

器件的电学特性仿真,可以理解为半导体器件(比如,晶体管或则二极管)电学特性的虚拟测试。器件被看作为有限网格点构成的结构,结构中的每个点都包含着金属类型、掺杂粒子类型和浓度等属性。对于每个点,载流子浓度、电流密度、电场强度、电子空穴对的生成和复合速率等都要进行计算。

3.结果和分析

0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的结构和器件特性仿真如图2到图7所示。使用INSPECT工具显示器件电学特性曲线,TECPLOT_SV工具显示器件结构。这两个工具都在Sentaurus TCAD软件中。

通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

图2和图3所示分别显示了生成网格之前的器件结构和生成网格之后的最终器件结构。图中显示的有花纹的界面代表的是源极、漏极、栅极、衬底的接触点,这些接触点是为了器件特性仿真设置电压参数的。图中凹的地方是源极和漏极,凸的地方是H形栅极;按从上到下的顺序看,下面3层结构分别为顶硅、绝缘氧化层、衬底。

通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

需要对设计的器件做传输特性和输出特性分析,结果如图4和图5所示。从图中我们可以得到所设计器件的阈值电压(Vth)为1.104V,饱和电流为3.121E-4A.

通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

阈值电压(Vth)是MOSFET最重要的参数之一,通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压。当栅极上所加的电压大于阈值电压时,器件处于开通状态;小于阈值电压时,器件处于关闭状态。

通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

本文所设计的器件的阈值电压为1.104V图6中显示了在不同辐照剂量条件下,器件阈值电压的漂移。这是因为在辐照会产生总剂量效应,在MOS器件中总剂量效应主要是在氧化物中产生电荷以及在Si/SiO2界面产生界面态。即使在室温条件下,SiO2中的电子也是可以移动的,它们能够迅速离开氧化层;另一方面,陷在氧化物中的空穴会产生正氧化物电荷,该电荷会导致器件阈值电压产生负漂移。同时,总剂量辐照也会也会在Si/SiO2界面产生界面态,与氧化物电荷作用相反,界面态会使阈值电压增大。

4.总结

使用Sentaurus TCAD软件成功设计了0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行了特性仿真。整个设计过程中用到了SentaurusTCAD软件中的SDE和Sentaurus Device两个主要工具,分析仿真结果得到了阈值电压(Vth)和饱和电流(Idsat)两个主要参数,参数值和理论相符合。

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UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

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UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

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UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应凯旋门真人娱乐平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

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UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

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UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...

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请问有没有可以用Eclipse+STLINKV2-1+GCC完成仿真的方法?

如题,现在想试试是不是可以使用stlinkv2-1在eclipse环境下仿真,不知道谁有解决方法。...

发表于 10-16 09:09 105次 阅读
请问有没有可以用Eclipse+STLINKV2-1+GCC完成仿真的方法?

基于DAC、运算放大器和MOSFET晶体管构建多功能高精度可编程电流源

电路功能与优势 数字控制电流源在许多应用中至关重要,如电源管理、电磁阀控制、电机控制、阻抗测量、传感器激励和脉搏血氧仪等...

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matlab仿真的buck电路详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是matlab仿真的buck(升压和降压电路)电路详细资料免费下载,进入仿....

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同步降压动力总成设计

  同步降压动力总成设计是当今最普遍使用的转换器拓扑结构之一,但为中低压同步降压转换器选择合适 的动力总成元件可能是一项艰...

发表于 10-16 06:48 10次 阅读
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50例MATLAB电机仿真源码详细资料免费下载

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电机模型仿真详细资料免费下载

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数控波形发生器仿真资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是数控波形发生器仿真资料免费下载proteus软件可以打开.

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LTspice仿真库详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是LTspice仿真库详细资料免费下载内含TL494,UC3875,TL4....

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俄科学家开发出高精度激光器

新型激光器将用于GLONASS导航系统的月球激光定位仪。这样就可以实时校正卫星坐标,使俄罗斯导航系统....

的头像 MEMS 发表于 10-13 10:47 347次 阅读
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通过EE-Sim工具进行DC-DC设计与仿真

通过实例具体讲解EE-Sim DC-DC 设计工具

的头像 Maxim视频 发表于 10-12 05:14 36次 观看
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EE-Sim工具的基本功能介绍

如何进入EE-Sim工具进行仿真设计,及EE-Sim的基本功能。

的头像 Maxim视频 发表于 10-12 05:11 43次 观看
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了解“App开发器”如何使该领域受益于仿真的强大功能

“案例库”提供了一个可计算声波在水-海床界面的反射系数的二维模型。在模型中,均匀平面波来自流体域(水....

的头像 COMSOL 发表于 10-11 14:30 116次 阅读
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低噪声放大器(LNA)的介绍和详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是1.LNA的功能和性能指标 2.MOSFET的噪声模型 3.MOSF....

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MAX17633同步降压DC-DC转换器的功能特点介绍

This video provides an introduction to the MAX1763....

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利用EE-Sim仿真工具设计一款电源

本视频中,Oliver介绍如何利用在线式EE-Sim®设计和仿真工具在短短5分钟或更短时间内设....

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MAX17761同步降压型DC-DC转换器的功能特点与应用

本视频简要介绍MAX17761,器件为4.5V–76V、1A、高效、同步降压型DC-DC转换器,带有....

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Trinamic大功率步进电机的完美电流控制

TRINAMIC发布了全新的高性能步进电机驱动器TMC2160。该多功能芯片结合强大的外部MOSFE....

的头像 章鹰 发表于 10-10 14:23 721次 阅读
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如何使用proteus 8.0打开低版本的电路图

Proteus 8.0版本生成的仿真电路图文件类型是Proteus Project(.pdsprj)....

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24V+电源方案6:如何使用EE-Sim仿真工具仿真电源系统设计

本视频中,Maxim工业电源方案部门的执行经理Viral Vaidya引导您利用Maxim的最新同步....

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EE-Sim仿真工具的基本功能介绍

从中您可以看到EE-Sim 最常用的功能,包括如何打开一个DC-DC设计,如何改变设计需求,如何创建....

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如何设置EE-Sim仿真并查看波形

使用仿真设置窗口来运行六种仿真,可以根据需要来改变一系列仿真设置并可以查看仿真完成后的波形。

的头像 Maxim视频 发表于 10-10 03:03 64次 观看
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英飞凌的OpTimoSTM功率MOSFET数据表的详细解读方法资料免费下载

数据表是电子工程师理解功率MOSFET器件并充分理解其预期功能的最重要的工具。由于数据表提供的信息量....

发表于 10-09 08:00 45次 阅读
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高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET ....

发表于 10-08 08:00 70次 阅读
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通过EE-Sim仿真工具查看波形

自定义EE-Sim仿真波形的显示,实现最优分析。可配置的参数包括信号颜色、顺序和分组;坐标轴比例、布....

的头像 Maxim视频 发表于 10-08 05:02 108次 观看
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声学建模仿真如何帮助飞机涡轮发动机降噪?

飞机涡轮发动机中的涡轮风扇是主要的飞行噪声源之一。过量的噪声可能会引发一系列健康问题。声学建模可以帮....

的头像 COMSOL 发表于 10-03 11:57 228次 阅读
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多尼卡机载Wi-Fi顺利完成Ku卫星天线集成测试

航空娱乐系统国产领军企业多尼卡多年来一直致力于IFE-C领域的开拓与创新,并先后进行过多次Ku卫星天....

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单片机硬件仿真与烧写程序结果同的原因分析

通常仿真器的驱动能力比单片机要强;可以分两步检查,一是分别用仿真器与单片机时对应IO口波形进行对比,....

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九天微星创始人谢涛:民营卫星重性价比 民企国企都代表中国

民企造卫星和国家队有何不同?民企能否分到卫星市场的蛋糕?民营小卫星是否抢了国企资源?又该如何降成本?....

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基于multisim调频仿真电路图及波形图详解

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发表于 09-29 16:54 143次 阅读
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采用SiC材料元器件的特性结构介绍

SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍....

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电子鼻系统中的关键传感器解析

电子鼻是利用气体传感器阵列的响应图案来识别气味的电子系统,它可以在几小时、几天甚至数月的时间内连续地....

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有刷直流电机工作过程及应用

在有刷电机中,磁极方向的跳转是通过移动固定位置的接触点来完成的,该接触点在电机转子上与电触点相对连接....

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米勒效应会对MOSFET管造成怎样的影响

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电动汽车如何进行仿真?电动汽车性能仿真说明书资料免费下载

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浅析MOS替换方法及流程之零点tempoc

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MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

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我国以“一箭双星”方式成功发射两颗北斗导航卫星

2018年9月19日22时07分,我国在西昌卫星发射中心用长征三号乙运载火箭,以及远征一号上面级,以....

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cadence教程之入门使用手册详细资料免费下载

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卫星与民用通信:高轨、低轨并用全覆盖

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CW1053-5串锂电池组保护芯片的应用指南详细资料免费下载

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滞回比较器如何设计?滞回比较器设计仿真以及电阻配置的资料免费下载

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发表于 09-18 08:00 68次 阅读
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深入探讨功率MOSFET变化对电流和电压回路行为的影响

讨论功率MOSFET变化对两个回路(电流和电压)行为的影响。由于MOSFET只影响功率单元,所以理论....

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MOSFET的结构和重点参数介绍及应用前景如何?

最近,国内对MOSFET的需求大涨,导致业内缺货,很多厂商有钱买不到货,这是MOSFET厂商最愿意看....

的头像 半导体观察IC 发表于 09-15 11:46 560次 阅读
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如何使用Multisim仿真辅助设计来提高对数字电路实验的教学效果

针对数字电路实验特点,利用电路仿真软件Multisim 10建立虚拟电路实验凯旋门真人娱乐平台,基于集成十进制芯片....

发表于 09-14 15:06 93次 阅读
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